Модуль памяти DDR3 4Gb AMD PC12800/1600Mhz, 1.5V, CL11 R534G1601U1S-UO Black OEM (83604) (R534G1601U1S-UO)
Описание
Наш автор, не покладая рук, трудится над описанием товара...
Характеристики
Характеристики
- Activate to Precharge Delay (tRAS) 28
- CAS Latency (CL) 11
- RAS to CAS Delay (tRCD) 11
- Row Precharge Delay (tRP) 11
- Буферизованная (Registered) нет
- Количество чипов каждого модуля 8, односторонняя упаковка
- Напряжение питания 1.5 В
- Низкопрофильная (Low Profile) нет
- Объем 1 модуль 4 Гб
- Поддержка ECC нет
- Пропускная способность 12800 Мб/с
- Тактовая частота 1600 МГц
- Тип памяти DDR3
- Форм-фактор DIMM 240-контактный
| Характеристики | |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 28 |
| CAS Latency (CL) | 11 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 11 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 11 |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Количество чипов каждого модуля | 8, односторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 1.5 В |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем | 1 модуль 4 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Пропускная способность | 12800 Мб/с |
| Тактовая частота | 1600 МГц |
| Тип памяти | DDR3 |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
